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글로벌 전략회의 마친 ‘삼성전자’…“HBM 경쟁력 확보 주력”
 삼성전자가 최근 글로벌 전략회의를 마무리한 가운데, 하반기 초격차 경쟁력 확보에 주력할 방침이다. 특히 기둥 사업인 반도체를 담당하는 디바이스솔루션(DS) 부문은 고대역폭메모리(HBM) 및 파운드리 기술력 회복과 매출 확대에 집중할 계획이다. 22일 업계에 따르면 DS 부문은 18일 진행된 전략회의에서 HBM을 주요 주제로 삼고, 엔비디아용 HBM3E(5세대) 12단 상용화 시점, HBM4(6세대) 양산, D램 설계 개선, 시장 점유율 확대 방안 등을 논의한 것으로 알려졌다. 삼성전자의 글로벌 전략회의는 6월과 12월에 열리는 연례행사다. 글로벌 각 지역의 법인장까지 대거 참석해 사업 부문·지역별 현안을 공유하고 마케팅 전략 등을 점검한다. 특히 최근 반도체 사업 위기감이 고조되고 있는 만큼 기술 경쟁력 회복 방안을 집중적으로 논의했다는 후문이다. 삼성전자 메모리 사업부의 경우 1분기 SK하이닉스에 33년 만에 D램 시장 1위를 내줬다. 동시에 미국 마이크론과 중국 창신메모리(CXMT)의 추격도 거세지고 있다. 무엇보다 HBM에 대한 엔비디아의 품질검사(퀄 테스트) 통과가 시급한 선결 과제로 꼽힌다. 삼성전자는 여전히 HBM3(4세대)부터 HBM3E까지 엔비디아의 퀄 테스트를 통과하지 못하고 있다. 다만 최근 미국 반도체 기업 AMD에 HBM3E 12단 개선제품 납품을 공식화하면서 그간의 기술 결함 논란 우려를 일부 불식시켰다는 평가가 나온다. 하반기에는 엔비디아 공급망을 뚫기 위해 주력할 것으로 보인다. 이와 동시에 삼성전자는 하반기 본격적으로 개화하는 HBM4 양산 계획도 점검했을 것으로 보인다. 삼성전자는 HBM4에 10나노급 6세대(1c) D램을 선제적으로 적용해 경쟁사와 차별화하겠다는 전략을 세웠다. 10나노급 D램 공정 기술은 ‘1x(1세대)→1y(2세대)→1z(3세대)→1a(4세대)→1b(5세대)→1c(6세대)’ 순으로 개발되는데, SK하이닉스와 마이크론은 HBM4에 1b D램을 적용한다. 최근 삼성전자의 일반 1c D램의 수율이 개선되면서, HBM용으로 쓰이는 1c D램 또한 성능 개선 가능성이 커졌다는 평가다. 분기마다 조 단위 적자가 이어지는 파운드리 사업부는 고객사 확장에 전념한다는 목표다. 특히 2나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 이하 선단 공정 확대에 속도를 낸다. 삼성전자는 최근 게이트올어라운드(GAA) 기반의 2나노 1세대 공정인 ‘SF2’의 신뢰성 평가를 완료했으며, 양산 투입을 앞두고 있다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 1분기 삼성전자의 파운드리 점유율은 7.7%로, 지난해 4분기보다 0.4%포인트(p) 하락했다. 같은 기간 대만 TSMC(67.6%)와의 격차는 더 확대됐고, 중국 SMIC(6%)와는 좁혀졌다. 이외에도 시스템LSI 사업부의 경우 다음 달 선보이는 폴더블 스마트폰 '갤럭시 Z7 시리즈'에 탑재될 자사 애플리케이션 프로세서(AP) '엑시노스 2500'을 포함한 향후 프로젝트에 대해 논의했을 가능성이 점쳐진다. <저작권자 ⓒ 이투데이 무단전재/재배포 금지>
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